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特诺半导体有限公司
功率半导体器件的创新者
Power MOSFET
IGBT
Diode
BJT
IC
IGBT
产品介绍
IGBT
产品名称
VDS(V)
100
200
250
300
400
500
600
650
700
800
900
1000
1200
ID(A)
60
30
20
18
16
13
12
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
RDSON(Ω)(@Vgs=10V)
110
16
15
10.5
10
9.5
8
6.5
6.3
6
5.5
5
4.8
4.5
3.4
3
2.8
2.5
2.3
2.2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
0.56
0.55
0.5
0.45
0.4
0.35
0.3
0.28
0.27
0.26
0.25
0.18
0.12
0.094
0.085
0.08
0.066
0.051
0.05
0.046
0.042
VGS(TH)(V)
4-5
3-5
2-4
1-3
QG(nC)
153
140.5
136.2
123
96
90.5
90.1
65
64
63
62
61
58
57
56.9
54
52
50.5
50
49.4
49.3
49
47
46.9
46
45.7
45
44
43
42
40
39
38.6
38
37.6
37.1
35
34
33.9
32
31.1
30.1
29
28.4
28
27
26.5
26
25.4
25.2
25
24
23
22.7
21.3
21
20.4
20.2
19.7
19.5
19
18.6
18
17.4
17.3
16.6
16
15.5
15
14.6
14.5
13.4
13
12.8
12.7
12.6
12.3
12
11.5
11.2
9.5
9.4
9
8.8
8.7
8.5
8.4
8
7.9
7
6.2
5.3
5.2
5
4.7
4.3
4.2
4
3.6
封装形式
TO-3P(H)
TO-3P
TO-220F
TO-220AB
TO-252
TO-251
规格书
状态
更新日期
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